Рафаель Тсу

американський фізик
Немає перевірених версій цієї сторінки; ймовірно, її ще не перевіряли на відповідність правилам проекту.

Рафае́ль Тсу (англ. Raphael Tsu) — американський науковець китайського походження. Спеціаліст у галузі штучних атомоподібних систем, створених технологічними методами інтегральної електроніки в напівпровідниках. Прізвище Тсу (Tsu) прийняв після переїзду на захід із Китаю, де мав прізвище Жу (Zhu).

Рафаель Тсу
Народився1925 Редагувати інформацію у Вікіданих
Шанхай, Цзянсу[d], Бейянський уряд Редагувати інформацію у Вікіданих
Діяльністьфізик Редагувати інформацію у Вікіданих
Alma materУніверситет штату Огайо Редагувати інформацію у Вікіданих
ЗакладUniversity of North Carolina at Charlotted
National Renewable Energy Laboratoryd
IBM Thomas J. Watson Research Centerd
Bell Laboratories
Energy Conversion Devicesd Редагувати інформацію у Вікіданих
Аспіранти, докторантиArmen Seviand[1] Редагувати інформацію у Вікіданих
ЧленствоАмериканське фізичне товариство Редагувати інформацію у Вікіданих
Нагороди

Тсу народився в Шанхаї в родині правовірних католиків (його дядько був єпископом). Коли він залишав Шанхай, то його дядько нагадав йому старе китайське прислів'я, що для досягнення успіху в житті необхідно мати правильні знаряддя. Спершу Тсу переїхав на навчання в Англію, а потім в США, де він і отримав ступінь доктора філософії в університеті штату Охіо. Там він зробив визначний вклад в розвиток квантової механіки другої половини 20-го століття, в галузі «штучних квантових систем в твердому тілі» (man-made quantum solids).

Після декількох років праці у відомій корпорації — Bell Labs, де він винайшов ультразвуковий підсилювач, він уже будучи професором, перебрався в IBM. Тут він став асистентом Лео Есакі, винахідника тунельного діода і нобелівського лауреата (1973). Тут і розпочалася його плідна кооперація з Есакі в галузі штучних квантових систем у твердому тілі, таких як: надрешітки та квантові ями.

Своїми чисельними теоретичними розробками професор Тсу доказав, що квантові стани існують і можуть бути визначені в багатошарових напівпровідниках, таких як надрешітки. В порівнянні з періодом природної ґратки в кристалі, період штучної надрешітки може бути набагато більшим, і звідси випливає мала величина хвильового вектора та кристалічного моменту (і енергій також). Він також вперше звернув увагу і передбачив існування "від'ємного диференційного опору" в таких штучних матеріалах.

Див.також

ред.

Література

ред.
  • R. Tsu and L. Esaki (1973). Tunneling in a finite superlattice. Applied Physics Letters. 22: 562. doi:10.1063/1.1654509.

Посилання

ред.
  1. Математичний генеалогічний проєкт — 1997.